关于贴高压片电容，他其实还有一个名字，称之为陶瓷多＠ 层片式电容器，可以视其为一种用陶瓷粉的生产工艺，其内部为贵金属钯金构造，它是通过高温■烧结法将银镀在陶瓷上作为电极而制成。产□品分为高频瓷介NP0(COG)和︻低频瓷介X7R两种材质。

　　NP0以小著称，只有很小的封装体积，是能够高耐温度系数的电容〇，而且高频性能好的特点，所以NP0几乎用于高稳定振荡回路中，从而作为电路滤→波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普▂通频率的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和▲损耗要求不高的场合，这种电容器不宜使用在交流(AC)脉冲『电路中，因为它们易●于被脉冲电压击穿，所以不建义使用在交流电路中。

　　分类：

　　温度补偿型：NP0质NP0又名COG电气性能最稳定▓，基本上不随温度、电压、时间的改∮变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对∮稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高◥频电路中。

　　高介电常数型X7R介质：X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质╳更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

　　半导体型X5R介质：X5R具有较高的介电常数，常用于生▽产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R，容量、损耗对∑温度、电压等测试条件较敏感，主要√用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。

　　优点：封装体积小，质量稳定，绝缘性能高，耐高压

　　缺点：容量较小，目前最大UF，易于被脉冲电压击穿。

　　性能参数：

　　材质NP0(COG).X7R.X5R.Y52.容量0.1PF-PF-1NF-1UF-UF3.电压6.3--1K-2K-5K4.封装----应用范围：产品广泛用于模块电源、汽车电子，通讯电源，LED照明电源等々领域，有着广阔的应用发展前景硬件类一般都上硬之城看那里比较专业，专业的问☉题专业解决，这是最快的也是最好的方法，好过自己瞎搞，因为电子元器件的电子型号那些太多了一不小心就会弄错，所以还是找专业的帮你解↘决。